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汎銓ALD低溫真空鍍膜技術 取得專利
2020-10-15 經濟日報
半導體製程技術持續巔覆性的發展,成為支援5G及未來科技應用的重要支柱。目前市場已確認微縮化為半導體不變的定局,而晶圓大廠邁向2、3奈米量產也逐步實現,此時應該關注支持先進製程穩定推進的重要週邊力量。
主要用於半導體產業的ALD真空鍍膜技術就是其一。在整個半導體量產製造流程中,ALD真空鍍膜技術已被普遍使用。汎銓科技則是將ALD低溫真空鍍膜技術運用於材料分析,且已正式取得專利。
董事長柳紀綸表示,ALD是一種原子層沉積技術,用於7奈米以下製程的材料分析樣品製備,確保不會在電子束照射下,導致樣品變形及倒塌,產生研發人員誤判。
以超低介電材料(Low K)與5奈米以下製程導入EUV光阻為例,最大的挑戰就在於樣品產生變形及倒塌,這對先進製程技術的發展,如同一顆大石頭,對所有MA業者而言,是不易突破的高難度關卡。
多年前,汎銓科技即發展出ALD低溫真空鍍膜技術,領先市場成功搬開路障,並於近期取得專利。柳紀綸形容,ALD是預防樣品變形倒塌的「金鐘罩」,而取得專利,則是汎銓重要的「保護牆」,能讓汎銓往前走得更順遂,阻斷對手彎道超車的可能。
汎銓為半導體材料分析專家及IC故障分析高手,專長於半導體製程研發初期的製程細微結構形貌及成分分析,透過高階電子顯微鏡等分析設備儀器,以及搭配自行研發的特殊分析技術工法,提供精準的專業分析報告,成為全球各大半導體廠商的重要研發夥伴。
成為「半導體先進製程研發的領航者」,始終是汎銓矢志努力的目標,如今以該公司的技術領先程度來看,的確是桂冠在握。
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